CVD是化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition)的缩写，PVD是物理气相沉积(Physical Vapor Deposition)的缩写。这两种技术都是用于在基材表面沉积薄膜的方法。

工艺原理方面：CVD是通过化学反应在气相中生成固态薄膜，而PVD是通过物理过程(如蒸发、溅射、离子镀)将气化物质直接沉积到基材表面。

工艺温度方面：CVD需要在800-1100℃高温下进行，而PVD通常在500℃以下进行。这使得PVD更适合对温度敏感的材料。

CVD（化学气相沉积）和PVD（物理气相沉积）是两种主流的薄膜沉积技术，在工业涂层、半导体制造等领域应用广泛。它们的核心差异在于沉积原理、工艺条件和适用场景。

CVD的优缺点

优点：

1：高结合强度与致密性：涂层与基体结合力强，气孔率低，适合高耐磨场景（如硬质合金刀具）。

2：复杂形状覆盖能力：优异绕镀性，可均匀沉积内孔、凹槽等结构。

3：多样性：可沉积Al₂O₃、DLC（类金刚石碳）等高硬度化合物。

4：厚涂层优势：单次沉积厚度可达毫米级，适合重载工况。

缺点：

1：高温限制：易导致基体材料退火或变形，仅适用耐高温基材（如硬质合金）

2：表面粗糙：沉积后常需抛光，增加工序

PVD的优缺点

优点：

1：低温工艺：保护基体力学性能，适用高速钢、精密刀具等温度敏感材料。

2：高表面光洁度：直接复制基材表面状态，无需后处理抛光。

3：环保安全：无化学副产物，符合绿色制造趋势。

4：抗冲击性佳：压应力涂层抑制裂纹扩展，适合断续切削（如铣刀）

缺点：

1：绕镀性差：难以覆盖非直视区域（如深孔内壁）

2：涂层较薄：耐磨寿命低于CVD涂层，需频繁返修

3: 基材清洁要求高：预处理不彻底易导致涂层脱落

应用领域方面：CVD主要用于半导体设备、LED、电路板、耐腐蚀涂层；PVD用于高速钢刀具、整体刀具、装饰性金属表面等。

选CVD：需高耐磨、复杂结构覆盖或耐腐蚀场景（电路板、反应釜内壁）。

选PVD：基材不耐高温、需高精度或环保要求严格（如精密刀具、消费电子）。

混合工艺：半导体领域常先PVD沉积金属层，再CVD覆盖绝缘层，兼顾性能与成本。